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FF200R12KT3EHOSA1

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FF200R12KT3EHOSA1

Pour Référence Seulement

Référence FF200R12KT3EHOSA1
Fabricant Infineon Technologies
Description IGBT MODULE 1200V 1050W
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications FF200R12KT3EHOSA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - IGBT - Modules
paquet-
ECAD
SériesC
Type IGBT-
Configuration2 Independent
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)-
Puissance - Max1050 W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 200A
Current - Collector Cutoff (Max)5 mA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce14 nF @ 25 V
ContributionStandard
Thermistance NTCNo
Température de fonctionnement-40°C ~ 125°C
Type de montageChassis Mount
Paquet / casModule
Package de périphérique fournisseurModule

FF200R12KT3EHOSA1 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

FF200R12KT3EHOSA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that FF200R12KT3EHOSA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the FF200R12KT3EHOSA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including FF200R12KT3EHOSA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of FF200R12KT3EHOSA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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    Warm Tips: It may take up to 24 hours for the carriers to display tracking information. Usually, express delivery takes 3-5 days, and registered mail takes 25-60 days.
  • 6. What is the process for return or replacement of FF200R12KT3EHOSA1?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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