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FF200R12KE3B2HOSA1

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FF200R12KE3B2HOSA1

Pour Référence Seulement

Référence FF200R12KE3B2HOSA1
Fabricant Infineon Technologies
Description IGBT MOD 1200V 295A 1050W
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 15 piece(s)
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Spécifications FF200R12KE3B2HOSA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - IGBT - Modules
paquet-
ECAD
Séries-
Type IGBT-
ConfigurationHalf Bridge
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)295 A
Puissance - Max1050 W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 200A
Current - Collector Cutoff (Max)5 mA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce14 nF @ 25 V
ContributionStandard
Thermistance NTCNo
Température de fonctionnement-40°C ~ 125°C
Type de montageChassis Mount
Paquet / casModule
Package de périphérique fournisseurModule

FF200R12KE3B2HOSA1 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

FF200R12KE3B2HOSA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that FF200R12KE3B2HOSA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the FF200R12KE3B2HOSA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including FF200R12KE3B2HOSA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of FF200R12KE3B2HOSA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the FF200R12KE3B2HOSA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of FF200R12KE3B2HOSA1?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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