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FF150R12KT3GHOSA1

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FF150R12KT3GHOSA1

Pour Référence Seulement

Référence FF150R12KT3GHOSA1
Fabricant Infineon Technologies
Description IGBT MOD 1200V 225A 780W
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications FF150R12KT3GHOSA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - IGBT - Modules
paquet-
ECAD
SériesC
Type IGBTTrench Field Stop
ConfigurationSingle Chopper
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)225 A
Puissance - Max780 W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 150A
Current - Collector Cutoff (Max)5 mA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce11 nF @ 25 V
ContributionStandard
Thermistance NTCNo
Température de fonctionnement-40°C ~ 125°C
Type de montageChassis Mount
Paquet / casModule
Package de périphérique fournisseurModule

FF150R12KT3GHOSA1 Packaging

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Packing
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FF150R12KT3GHOSA1 FAQ

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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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