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FF150R12KE3GB2HOSA1

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FF150R12KE3GB2HOSA1

Pour Référence Seulement

Référence FF150R12KE3GB2HOSA1
Fabricant Infineon Technologies
Description IGBT MODULE VCES 1200V 150A
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 30 piece(s)
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Spécifications FF150R12KE3GB2HOSA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - IGBT - Modules
paquet-
ECAD
SériesC
Type IGBTTrench Field Stop
ConfigurationHalf Bridge Inverter
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)225 A
Puissance - Max780 W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 150A
Current - Collector Cutoff (Max)5 mA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce11 nF @ 25 V
ContributionStandard
Thermistance NTCNo
Température de fonctionnement-40°C ~ 125°C (TJ)
Type de montageChassis Mount
Paquet / casModule
Package de périphérique fournisseurModule

FF150R12KE3GB2HOSA1 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

FF150R12KE3GB2HOSA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that FF150R12KE3GB2HOSA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 6. What is the process for return or replacement of FF150R12KE3GB2HOSA1?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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