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FDS5690-NBBM009A

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Pour Référence Seulement

Référence FDS5690-NBBM009A
Fabricant onsemi
Description MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications FDS5690-NBBM009A

Fabricantonsemi
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)60 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C7A (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)-
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs32 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1107 pF @ 30 V
Vgs (Max)-
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)-
Rds sur (max) @ id, vgs28mOhm @ 7A, 10V
Température de fonctionnement-
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseur8-SOIC
Paquet / cas8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

FDS5690-NBBM009A Packaging

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Sealing
Packing
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FDS5690-NBBM009A FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that FDS5690-NBBM009A is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the FDS5690-NBBM009A price and inventory displayed accurate?
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    (1)Inform us within 90 days
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DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2

BZA408B,125

TVS DIODE 5VWM 6TSOP

MC68HC908GP32CFB

IC MCU 8BIT 32KB FLASH 44QFP

2N3771

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