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FDS5672_F095

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Pour Référence Seulement

Référence FDS5672_F095
Fabricant onsemi
Description MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications FDS5672_F095

Fabricantonsemi
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesPowerTrench®
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)60 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C12A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs45 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds2200 pF @ 25 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)2.5W (Ta)
Rds sur (max) @ id, vgs10mOhm @ 12A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseur8-SOIC
Paquet / cas8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Sealing
Packing
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FDS5672_F095 FAQ

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  • 4. What forms of payment are accepted?
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