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FDP13AN06A0-SW82126

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Pour Référence Seulement

Référence FDP13AN06A0-SW82126
Fabricant onsemi
Description MOSFET N-CH 60V TO220-3
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications FDP13AN06A0-SW82126

Fabricantonsemi
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)60 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C10.9A (Ta), 62A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs29 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1350 pF @ 25 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)115W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs13.5mOhm @ 62A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-220-3
Paquet / casTO-220-3

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Packing
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