Name: FDN360P-NBGT003B
Brand: onsemi
SKU: FDN360P-NBGT003B
Availability: InStock
Rating: 5 (161 reviews)

FDN360P-NBGT003B

Pour Référence Seulement

Référence	FDN360P-NBGT003B
Fabricant	onsemi
Description	MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	nov. 21 - nov. 26 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications FDN360P-NBGT003B

Fabricant	onsemi
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	PowerTrench®
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	30 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	2A (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	9 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	298 pF @ 15 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	500mW (Ta)
Rds sur (max) @ id, vgs	80mOhm @ 2A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	SOT-23-3
Paquet / cas	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

FDN360P-NBGT003B Packaging

FDN360P-NBGT003B FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of FDN360P-NBGT003B.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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