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FDMS86263P-23507X

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Pour Référence Seulement

Référence FDMS86263P-23507X
Fabricant onsemi
Description FET -150V 53.0 MOHM PQFN56
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications FDMS86263P-23507X

Fabricantonsemi
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesPowerTrench®
Type de FETP-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)150 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C4.4A (Ta), 22A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs63 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds3905 pF @ 75 V
Vgs (Max)±25V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs53mOhm @ 4.4A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseur8-PQFN (5x6)
Paquet / cas8-PowerTDFN

FDMS86263P-23507X Packaging

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Sealing
Packing
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FDMS86263P-23507X FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that FDMS86263P-23507X is from the original manufacturer or authorized agents?
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