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FDFMA2P029Z-F106

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Pour Référence Seulement

Référence FDFMA2P029Z-F106
Fabricant onsemi
Description MOSFET P-CH 20V 3.1A 6MICROFET
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications FDFMA2P029Z-F106

Fabricantonsemi
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesPowerTrench®
Type de FETP-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)20 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C3.1A (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs10 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds720 pF @ 10 V
Vgs (Max)±12V
Fonction FETSchottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (max)1.4W (Ta)
Rds sur (max) @ id, vgs95mOhm @ 3.1A, 4.5V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseur6-MicroFET (2x2)
Paquet / cas6-VDFN Exposed Pad

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Sealing
Packing
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of FDFMA2P029Z-F106?
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