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FDB86360_SN00307

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Pour Référence Seulement

Référence FDB86360_SN00307
Fabricant onsemi
Description MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications FDB86360_SN00307

Fabricantonsemi
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesPowerTrench®
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)80 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C110A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs253 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds14600 pF @ 25 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)333W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs1.8mOhm @ 80A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurTO-263 (D2PAK)
Paquet / casTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Sealing
Packing
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