Name: FDB3632_SB82115
Brand: onsemi
SKU: FDB3632_SB82115
Availability: InStock
Rating: 5 (182 reviews)

FDB3632_SB82115

Pour Référence Seulement

Référence	FDB3632_SB82115
Fabricant	onsemi
Description	MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	nov. 1 - nov. 6 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications FDB3632_SB82115

Fabricant	onsemi
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	PowerTrench®
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	100 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	12A (Ta), 80A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	110 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	6000 pF @ 25 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	310W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	9mOhm @ 80A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	TO-263 (D2PAK)
Paquet / cas	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

FDB3632_SB82115 Packaging

FDB3632_SB82115 FAQ

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