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FCU600N65S3R0

FCU600N65S3R0

FCU600N65S3R0

Pour Référence Seulement

Référence FCU600N65S3R0
Fabricant onsemi
Description MOSFET N-CH 650V 6A IPAK
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 1 323 piece(s)
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Spécifications FCU600N65S3R0

Fabricantonsemi
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesSuperFET® III
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)650 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C6A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 600µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs11 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds465 pF @ 400 V
Vgs (Max)±30V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)54W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs600mOhm @ 3A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurIPAK
Paquet / casTO-251-3 Stub Leads, IPAK

FCU600N65S3R0 Packaging

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Packing
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FCU600N65S3R0 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that FCU600N65S3R0 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the FCU600N65S3R0 price and inventory displayed accurate?
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