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FCPF260N60E-F152

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Pour Référence Seulement

Référence FCPF260N60E-F152
Fabricant onsemi
Description MOSFET N-CH 600V 15A TO220F
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications FCPF260N60E-F152

Fabricantonsemi
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesSuperFET® II
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)600 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C15A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)-
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs62 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds2500 pF @ 25 V
Vgs (Max)-
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)36W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs260mOhm @ 7.5A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-220F-3
Paquet / casTO-220-3 Full Pack

FCPF260N60E-F152 Packaging

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Sealing
Packing
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FCPF260N60E-F152 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that FCPF260N60E-F152 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the FCPF260N60E-F152 price and inventory displayed accurate?
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