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FCPF190N65S3R0L

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Pour Référence Seulement

Référence FCPF190N65S3R0L
Fabricant onsemi
Description MOSFET N-CH 650V 17A TO220F-3
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications FCPF190N65S3R0L

Fabricantonsemi
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesSuperFET® III
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)650 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C17A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 1.7mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs33 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1350 pF @ 400 V
Vgs (Max)±30V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)144W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs190mOhm @ 8.5A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-220F-3
Paquet / casTO-220-3 Full Pack

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Packing
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