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FCI25N60N-F102

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FCI25N60N-F102

Pour Référence Seulement

Référence FCI25N60N-F102
Fabricant onsemi
Description MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications FCI25N60N-F102

Fabricantonsemi
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesSupreMOS™
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)600 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C25A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs74 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds3352 pF @ 100 V
Vgs (Max)±30V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)216W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs125mOhm @ 12.5A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-262 (I2PAK)
Paquet / casTO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

FCI25N60N-F102 Packaging

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Sealing
Packing
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FCI25N60N-F102 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that FCI25N60N-F102 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the FCI25N60N-F102 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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    Warm Tips: Some orders in certain payment forms may require handling fee.
  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of FCI25N60N-F102?
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    (1)Inform us within 90 days
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