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FCH190N65F-F155

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Pour Référence Seulement

Référence FCH190N65F-F155
Fabricant onsemi
Description MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications FCH190N65F-F155

Fabricantonsemi
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesFRFET®, SuperFET® II
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)650 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C20.6A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 2mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs78 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds3225 pF @ 100 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)208W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs190mOhm @ 10A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-247-3
Paquet / casTO-247-3

FCH190N65F-F155 Packaging

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Sealing
Packing
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FCH190N65F-F155 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that FCH190N65F-F155 is from the original manufacturer or authorized agents?
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    (1)Inform us within 90 days
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