Name: FCH165N65S3R0-F155
Brand: onsemi
SKU: FCH165N65S3R0-F155
Availability: InStock
Rating: 5 (183 reviews)

FCH165N65S3R0-F155

Pour Référence Seulement

Référence	FCH165N65S3R0-F155
Fabricant	onsemi
Description	MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	1 332 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	oct. 2 - oct. 7 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications FCH165N65S3R0-F155

Fabricant	onsemi
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	SuperFET® III
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	650 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	19A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 1.9mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	39 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1500 pF @ 400 V
Vgs (Max)	±30V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	154W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	165mOhm @ 9.5A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-247-3
Paquet / cas	TO-247-3

FCH165N65S3R0-F155 Packaging

FCH165N65S3R0-F155 FAQ

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(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of FCH165N65S3R0-F155.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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