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FCH023N65S3-F155

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FCH023N65S3-F155

Pour Référence Seulement

Référence FCH023N65S3-F155
Fabricant onsemi
Description MOSFET N-CH 650V 75A TO247
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications FCH023N65S3-F155

Fabricantonsemi
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesSuperFET® III
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)650 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C75A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 7.5mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs222 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds7160 pF @ 400 V
Vgs (Max)±30V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)595W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs23mOhm @ 37.5A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-247-3
Paquet / casTO-247-3

FCH023N65S3-F155 Packaging

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Sealing
Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that FCH023N65S3-F155 is from the original manufacturer or authorized agents?
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