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F3L75R12W1H3B27BOMA1

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Pour Référence Seulement

Référence F3L75R12W1H3B27BOMA1
Fabricant Infineon Technologies
Description IGBT MOD 1200V 45A 275W
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 72 piece(s)
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Spécifications F3L75R12W1H3B27BOMA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - IGBT - Modules
paquet-
ECAD
Séries-
Type IGBT-
ConfigurationThree Phase Inverter
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)45 A
Puissance - Max275 W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.7V @ 15V, 30A
Current - Collector Cutoff (Max)1 mA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce4.4 nF @ 25 V
ContributionStandard
Thermistance NTCYes
Température de fonctionnement-40°C ~ 150°C
Type de montageChassis Mount
Paquet / casModule
Package de périphérique fournisseurModule

F3L75R12W1H3B27BOMA1 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

F3L75R12W1H3B27BOMA1 FAQ

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