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F3L75R12W1H3B27BOMA1

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Pour Référence Seulement

Référence F3L75R12W1H3B27BOMA1
Fabricant Infineon Technologies
Description IGBT MOD 1200V 45A 275W
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 72 piece(s)
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Spécifications F3L75R12W1H3B27BOMA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - IGBT - Modules
paquet-
ECAD
Séries-
Type IGBT-
ConfigurationThree Phase Inverter
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)45 A
Puissance - Max275 W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.7V @ 15V, 30A
Current - Collector Cutoff (Max)1 mA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce4.4 nF @ 25 V
ContributionStandard
Thermistance NTCYes
Température de fonctionnement-40°C ~ 150°C
Type de montageChassis Mount
Paquet / casModule
Package de périphérique fournisseurModule

F3L75R12W1H3B27BOMA1 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

F3L75R12W1H3B27BOMA1 FAQ

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  • 6. What is the process for return or replacement of F3L75R12W1H3B27BOMA1?
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    (1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.
    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of F3L75R12W1H3B27BOMA1.
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    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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