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DTC114TU3HZGT106

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Pour Référence Seulement

Référence DTC114TU3HZGT106
Fabricant Rohm Semiconductor
Description TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 6 000 piece(s)
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Spécifications DTC114TU3HZGT106

FabricantRohm Semiconductor
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés
paquet-
ECAD
Séries-
Type de transistorNPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max)100 mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)50 V
Resistor - Base (R1) (Ohms)10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)-
Courant DC Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA (ICBO)
Fréquence - Transition250 MHz
Puissance - Max200 mW
Type de montageSurface Mount
Paquet / casSC-70, SOT-323
Package de périphérique fournisseurUMT3

DTC114TU3HZGT106 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

DTC114TU3HZGT106 FAQ

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