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DTA114GU3T106

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Pour Référence Seulement

Référence DTA114GU3T106
Fabricant Rohm Semiconductor
Description PNP, SOT-323, R1R2 LEAK
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications DTA114GU3T106

FabricantRohm Semiconductor
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés
paquet-
ECAD
Séries-
Type de transistorPNP - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max)100 mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)50 V
Resistor - Base (R1) (Ohms)10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)-
Courant DC Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA (ICBO)
Fréquence - Transition250 MHz
Puissance - Max200 mW
Type de montageSurface Mount
Paquet / casSC-70, SOT-323
Package de périphérique fournisseurUMT3

DTA114GU3T106 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

DTA114GU3T106 FAQ

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  • 5. How is the shipping arranged?
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