Name: DMT8008LSS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT8008LSS-13
Availability: InStock
Rating: 5 (184 reviews)

DMT8008LSS-13

Pour Référence Seulement

Référence	DMT8008LSS-13
Fabricant	Diodes Incorporated
Description	MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	janv. 13 - janv. 18 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications DMT8008LSS-13

Fabricant	Diodes Incorporated
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	80 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	13A (Ta), 32A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.8V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	47 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2840 pF @ 40 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	1.3W (Ta)
Rds sur (max) @ id, vgs	8mOhm @ 13A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	-
Package de périphérique fournisseur	-
Paquet / cas	-

DMT8008LSS-13 Packaging

DMT8008LSS-13 FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the DMT8008LSS-13 we delivered, we will accept the replacement or return of the DMT8008LSS-13 only when all of the below conditions are fulfilled:

(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of DMT8008LSS-13.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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