Name: DMT64M8LCG-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT64M8LCG-13
Availability: InStock
Rating: 5 (133 reviews)

DMT64M8LCG-13

Pour Référence Seulement

Référence	DMT64M8LCG-13
Fabricant	Diodes Incorporated
Description	MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	janv. 2 - janv. 7 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications DMT64M8LCG-13

Fabricant	Diodes Incorporated
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	60 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	16.1A (Ta), 77.8A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	47.5 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2664 pF @ 30 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	990mW (Ta)
Rds sur (max) @ id, vgs	4.8mOhm @ 20A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	V-DFN3333-8 (Type B)
Paquet / cas	8-PowerVDFN

DMT64M8LCG-13 Packaging

DMT64M8LCG-13 FAQ

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Once your order has been processed for shipment, our salesperson will send you an email advising you of the shipping status and tracking number.

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(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of DMT64M8LCG-13.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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