Name: DMT10H032LFVW-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT10H032LFVW-7
Availability: InStock
Rating: 5 (97 reviews)

DMT10H032LFVW-7

Pour Référence Seulement

Référence	DMT10H032LFVW-7
Fabricant	Diodes Incorporated
Description	MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	juin 30 - juil. 5 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications DMT10H032LFVW-7

Fabricant	Diodes Incorporated
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	100 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	17A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	11.9 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	683 pF @ 50 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	1.3W (Ta)
Rds sur (max) @ id, vgs	32mOhm @ 10A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount, Wettable Flank
Package de périphérique fournisseur	PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Paquet / cas	8-PowerVDFN

DMT10H032LFVW-7 Packaging

DMT10H032LFVW-7 FAQ

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(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of DMT10H032LFVW-7.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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