Name: DMNH6011LK3Q-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMNH6011LK3Q-13
Availability: InStock
Rating: 5 (155 reviews)

DMNH6011LK3Q-13

Pour Référence Seulement

Référence	DMNH6011LK3Q-13
Fabricant	Diodes Incorporated
Description	MOSFET N-CH 55V 80A TO252 T&R
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	nov. 17 - nov. 22 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications DMNH6011LK3Q-13

Fabricant	Diodes Incorporated
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	55 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	80A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	49.1 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3077 pF @ 30 V
Vgs (Max)	±12V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	1.6W (Ta)
Rds sur (max) @ id, vgs	12mOhm @ 25A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	TO-252 (DPAK)
Paquet / cas	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

DMNH6011LK3Q-13 Packaging

DMNH6011LK3Q-13 FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of DMNH6011LK3Q-13.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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