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DMN3730UFB4-7B

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DMN3730UFB4-7B

Pour Référence Seulement

Référence DMN3730UFB4-7B
Fabricant Diodes Incorporated
Description MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 29 055 piece(s)
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Spécifications DMN3730UFB4-7B

FabricantDiodes Incorporated
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesAutomotive, AEC-Q101
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)30 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C750mA (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id950mV @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs1.6 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds64.3 pF @ 25 V
Vgs (Max)±8V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)470mW (Ta)
Rds sur (max) @ id, vgs460mOhm @ 200mA, 4.5V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurX2-DFN1006-3
Paquet / cas3-XFDFN

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Sealing
Packing
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DMN3730UFB4-7B FAQ

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    (1)Inform us within 90 days
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