Name: DMN3066LVTQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3066LVTQ-13
Availability: InStock
Rating: 5 (154 reviews)

DMN3066LVTQ-13

Pour Référence Seulement

Référence	DMN3066LVTQ-13
Fabricant	Diodes Incorporated
Description	MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT26 T&R
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	nov. 27 - déc. 2 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications DMN3066LVTQ-13

Fabricant	Diodes Incorporated
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	30 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	3.6A (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	4 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	328 pF @ 10 V
Vgs (Max)	±12V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	900mW
Rds sur (max) @ id, vgs	67mOhm @ 2.5A, 4.5V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	TSOT-26
Paquet / cas	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

DMN3066LVTQ-13 Packaging

DMN3066LVTQ-13 FAQ

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(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of DMN3066LVTQ-13.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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