Name: DMN3032LQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3032LQ-13
Availability: InStock
Rating: 5 (161 reviews)

DMN3032LQ-13

Pour Référence Seulement

Référence	DMN3032LQ-13
Fabricant	Diodes Incorporated
Description	MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	déc. 26 - déc. 31 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications DMN3032LQ-13

Fabricant	Diodes Incorporated
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	30 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	5.4A (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	10.1 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	481 pF @ 15 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	800mW
Rds sur (max) @ id, vgs	31mOhm @ 5.8A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	SOT-23-3
Paquet / cas	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

DMN3032LQ-13 Packaging

DMN3032LQ-13 FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the DMN3032LQ-13 we delivered, we will accept the replacement or return of the DMN3032LQ-13 only when all of the below conditions are fulfilled:

(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of DMN3032LQ-13.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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