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DMN2009UCA4-7

DMN2009UCA4-7

DMN2009UCA4-7

Pour Référence Seulement

Référence DMN2009UCA4-7
Fabricant Diodes Incorporated
Description MOSFET 20V 10.3A X4-DSN1717-4
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications DMN2009UCA4-7

FabricantDiodes Incorporated
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Matrices
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETMOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET-
Tension de drain à la source (Vdss)20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C10.3A (Ta)
Rds sur (max) @ id, vgs11.9mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.4V @ 640µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs17.5nC @ 4V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1780pF @ 10V
Puissance - Max900mW
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Paquet / cas4-XFBGA, DSBGA
Package de périphérique fournisseurX4-DSN1717-4

DMN2009UCA4-7 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

DMN2009UCA4-7 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that DMN2009UCA4-7 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the DMN2009UCA4-7. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including DMN2009UCA4-7 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of DMN2009UCA4-7 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of DMN2009UCA4-7?
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    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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