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DI016N06PQ2-AQ

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Pour Référence Seulement

Référence DI016N06PQ2-AQ
Fabricant Diotec Semiconductor
Description IC
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications DI016N06PQ2-AQ

FabricantDiotec Semiconductor
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Matrices
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETMOSFET (Metal Oxide)
Fonction FETLogic Level Gate
Tension de drain à la source (Vdss)60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C16A (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs33mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs19nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1260pF @ 30V
Puissance - Max16.7W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Paquet / cas8-PowerTDFN
Package de périphérique fournisseurTDSON-8-4

DI016N06PQ2-AQ Packaging

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Sealing
Packing
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DI016N06PQ2-AQ FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that DI016N06PQ2-AQ is from the original manufacturer or authorized agents?
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