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DF900R12IP4DBOSA1

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DF900R12IP4DBOSA1

Pour Référence Seulement

Référence DF900R12IP4DBOSA1
Fabricant Infineon Technologies
Description IGBT MOD 1200V 900A 5100W
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications DF900R12IP4DBOSA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - IGBT - Modules
paquet-
ECAD
SériesPrimePACK™2
Type IGBTTrench Field Stop
ConfigurationSingle Chopper
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)900 A
Puissance - Max5100 W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.05V @ 15V, 900A
Current - Collector Cutoff (Max)5 mA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce54 nF @ 25 V
ContributionStandard
Thermistance NTCYes
Température de fonctionnement-40°C ~ 150°C
Type de montageChassis Mount
Paquet / casModule
Package de périphérique fournisseurModule

DF900R12IP4DBOSA1 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

DF900R12IP4DBOSA1 FAQ

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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of DF900R12IP4DBOSA1?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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