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DF11MR12W1M1B11BOMA1

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Pour Référence Seulement

Référence DF11MR12W1M1B11BOMA1
Fabricant Infineon Technologies
Description SIC 2N-CH 1200V AG-EASY1BM-2
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications DF11MR12W1M1B11BOMA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Matrices
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETSilicon Carbide (SiC)
Fonction FET-
Tension de drain à la source (Vdss)1200V (1.2kV)
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C50A
Rds sur (max) @ id, vgs23mOhm @ 50A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id5.5V @ 20mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs125nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds3950pF @ 800V
Puissance - Max-
Température de fonctionnement-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageChassis Mount
Paquet / casModule
Package de périphérique fournisseurAG-EASY1BM-2

DF11MR12W1M1B11BOMA1 Packaging

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Sealing
Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that DF11MR12W1M1B11BOMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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