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CP802-CWDM3011P-WN

CP802-CWDM3011P-WN

CP802-CWDM3011P-WN

Pour Référence Seulement

Référence CP802-CWDM3011P-WN
Fabricant Central Semiconductor Corp
Description MOSFET P-CH 30V 11A DIE
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications CP802-CWDM3011P-WN

FabricantCentral Semiconductor Corp
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETP-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)30 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C11A (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs80 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds3100 pF @ 8 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)-
Rds sur (max) @ id, vgs13mOhm @ 1A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurDie
Paquet / casDie

CP802-CWDM3011P-WN Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

CP802-CWDM3011P-WN FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that CP802-CWDM3011P-WN is from the original manufacturer or authorized agents?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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