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CP398X-CPDM303NH-WN

CP398X-CPDM303NH-WN

CP398X-CPDM303NH-WN

Pour Référence Seulement

Référence CP398X-CPDM303NH-WN
Fabricant Central Semiconductor Corp
Description MOSFET N-CH 30V 3.6A DIE
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications CP398X-CPDM303NH-WN

FabricantCentral Semiconductor Corp
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)30 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C3.6A (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs13 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds590 pF @ 10 V
Vgs (Max)12V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)-
Rds sur (max) @ id, vgs78mOhm @ 1.8A, 2.5V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurDie
Paquet / casDie

CP398X-CPDM303NH-WN Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

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  • 2. How does Heisener guarantee that CP398X-CPDM303NH-WN is from the original manufacturer or authorized agents?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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