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CMH01-TE12L-Q-M

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CMH01-TE12L-Q-M

Pour Référence Seulement

Référence CMH01-TE12L-Q-M
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
Description DIODE GEN PURP 200V 3A M-FLAT
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications CMH01-TE12L-Q-M

FabricantToshiba Semiconductor and Storage
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Diodes - Redresseurs - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de diodeStandard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)200 V
Courant - Rectifié moyen (Io)3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ Si980 mV @ 3 A
La vitesseFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inversé (trr)100 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 200 V
Capacité @ Vr, F-
Type de montageSurface Mount
Paquet / casSOD-128
Package de périphérique fournisseurM-FLAT (2.4x3.8)
Température de fonctionnement - Jonction-40°C ~ 150°C

CMH01-TE12L-Q-M Packaging

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Sealing
Packing
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CMH01-TE12L-Q-M FAQ

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    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the CMH01-TE12L-Q-M. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including CMH01-TE12L-Q-M on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of CMH01-TE12L-Q-M products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of CMH01-TE12L-Q-M?
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