Name: CMG06-TE12L-Q-M
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: CMG06(TE12L,Q,M)
Availability: InStock
Rating: 5 (152 reviews)

CMG06-TE12L-Q-M

Pour Référence Seulement

Référence	CMG06-TE12L-Q-M
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Description	DIODE GEN PURP 600V 1A M-FLAT
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	déc. 31 - janv. 5 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications CMG06-TE12L-Q-M

Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Diodes - Redresseurs - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de diode	Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	600 V
Courant - Rectifié moyen (Io)	1A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ Si	1.1 V @ 1 A
La vitesse	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inversé (trr)	-
Current - Reverse Leakage @ Vr	10 µA @ 600 V
Capacité @ Vr, F	-
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	SOD-128
Package de périphérique fournisseur	M-FLAT (2.4x3.8)
Température de fonctionnement - Jonction	-40°C ~ 150°C

CMG06-TE12L-Q-M Packaging

CMG06-TE12L-Q-M FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of CMG06-TE12L-Q-M.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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If you need any after-sales service, please do not hesitate to contact us.

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