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CMF02-TE12L-Q-M

CMF02-TE12L-Q-M

CMF02-TE12L-Q-M

Pour Référence Seulement

Référence CMF02-TE12L-Q-M
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
Description DIODE GEN PURP 600V 1A M-FLAT
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications CMF02-TE12L-Q-M

FabricantToshiba Semiconductor and Storage
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Diodes - Redresseurs - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de diodeStandard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)600 V
Courant - Rectifié moyen (Io)1A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ Si2 V @ 1 A
La vitesseStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inversé (trr)-
Current - Reverse Leakage @ Vr50 µA @ 600 V
Capacité @ Vr, F-
Type de montageSurface Mount
Paquet / casSOD-128
Package de périphérique fournisseurM-FLAT (2.4x3.8)
Température de fonctionnement - Jonction-40°C ~ 150°C

CMF02-TE12L-Q-M Packaging

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Sealing
Packing
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CMF02-TE12L-Q-M FAQ

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  • 3. Are the CMF02-TE12L-Q-M price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of CMF02-TE12L-Q-M?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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