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| Référence | CIGT252010EH2R2MNE |
|---|---|
| Fabricant | Samsung |
| Description | FIXED IND |
| Fiche technique | |
| paquet | 1008 (2520 Metric) |
| ECAD |
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| En stock | 7 974 piece(s) |
| Prix unitaire | Request a Quote |
| Délai de mise en œuvre | VÊtre confirmé |
| Temps de livraison estimé | nov. 26 - déc. 1 (Choisissez l'expédition accélérée) |
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| Méthodes de paiement | |
| Services de livraison |
| Fabricant | Samsung |
| Catégorie | Inducteurs, bobines, bobines d’arrêt - Fixe |
| paquet | 1008 (2520 Metric) |
| ECAD |
|
| Séries | CIGT |
| Type | Thin Film |
| Matériau - Noyau | Metal Composite |
| Inductance | 2.2µH |
| Tolérance | ±20% |
| Note actuelle | 2.4A |
| Courant - Saturation | 2.7A |
| Blindage | Unshielded |
| Résistance DC (DCR) | 80 mOhm Max |
| Q @ Freq | - |
| Fréquence - Self Resonant | - |
| Évaluations | - |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
| Fréquence - Test | 1MHz |
| Caractéristiques | - |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | 1008 (2520 Metric) |
| Package de périphérique fournisseur | 1008 (2520 Metric) |
| Taille / dimension | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| Hauteur - Assis (Max) | 0.039" (1.00mm) |
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SIT8208AI-G1-18E-48.000000X | SiTime, -40 TO 85C, 2520, 20PPM, 1.8V, 4, -, CIGT | Vue |
|
DSC1001BE2-024.0000 | Microchip Technology, OSC MEMS 24.000MHZ CMOS SMD, 4-SMD, No Lead, CIGT | Vue |
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M39003/09-0184/HSD | Vishay Sprague, CAP TANT 22UF 10% 50V AXIAL, Axial, CIGT | Vue |
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1210Y6300100GCR | Knowles Syfer, CAP CER 10PF 630V C0G/NP0 1210, 1210 (3225 Metric), CIGT | Vue |
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ELXS451VSN471MA40T | United Chemi-Con, CAP ALUM 470UF 20% 450V SNAP, Radial, Can - Snap-In, CIGT | Vue |
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ELXV350ETE681MK25S | United Chemi-Con, CAP ALUM 680UF 20% 35V RADIAL, Radial, Can, CIGT | Vue |
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BD4954FVE-TR | Rohm Semiconductor, IC DETECTOR VOLT 5.4V CMOS 5VSOF, SOT-665, CIGT | Vue |
 
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74ACT273TTR | STMicroelectronics, IC D-TYPE POS TRG SNGL 20TSSOP, 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width), CIGT | Vue |
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PS-32C02-F NS | C&K, SWITCH PUSH SPST-NOX3 10MA 5V, -, CIGT | Vue |
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RC3225J473CS | Samsung, RES SMD 47K OHM 5% 1/3W 1210, 1210 (3225 Metric), CIGT | Vue |
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B78148E1331M000 | EPCOS (TDK), FIXED IND 330NH 5.3A 23 MOHM TH, Radial, CIGT | Vue |
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B82141A1223K000 | EPCOS (TDK), FIXED IND 22UH 335MA 900 MOHM TH, Axial, CIGT | Vue |
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| Référence | Fabricant | Description | Stock |
CIGT252010EH2R2MNE D# V36:1790_21718449 |
Samsung Electro-Mechanics |
Metal Composite Power Inductor (Thin Film) RoHS: Compliant
|
0 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
CIGT252010EH2R2MNE D# CIGT252010EH2R2MNE |
Samsung Semiconductor |
CIGTThin Film10082.2uH17 embossed-20~20% - Tape and Reel (Alt: CIGT252010EH2R2MNE) RoHS: Compliant
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0 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
CIGT252010EH2R2MNE D# 1276-6930-1-ND |
Samsung Electro-Mechanics |
FIXED IND 2.2UH 2.4A 80MOHM SMD |
80184 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
CIGT252010EH2R2MNE D# 187-CIGT252010EH2R2M |
Samsung Electro-Mechanics |
Fixed Inductors CIGT,Thin Film,1008,2.2uH,1.0?,7 embossed,-20 20% |
3929 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
CIGT252010EH2R2MNE |
Samsung Electro-Mechanics |
OEM/CM ONLY |
332 |
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