Référence | CIG22B1R0MNE |
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Fabricant | Samsung |
Description | FIXED IND 1UH 1.2A 125 MOHM SMD |
Fiche technique | |
paquet | 1008 (2520 Metric) |
ECAD | |
En stock | 6 570 piece(s) |
Prix unitaire | Request a Quote |
Délai de mise en œuvre | VÊtre confirmé |
Temps de livraison estimé | janv. 14 - janv. 19 (Choisissez l'expédition accélérée) |
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Référence | Fabricant | Description | Stock |
CIG22B1R0MNE D# V72:2272_13905036 |
Samsung Electro-Mechanics |
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 1uH 20% 1MHz Ferrite 1.2A 0.12Ohm DCR 1008 T/R RoHS: Compliant
|
0 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
CIG22B1R0MNE |
Samsung Electro-Mechanics |
Samsung Electro-Mechanics CIG22B1R0MNE |
3000 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
CIG22B1R0MNE D# 1276-6216-1-ND |
Samsung Electro-Mechanics |
FIXED IND 1UH 1.2A 125 MOHM SMD |
1481 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
CIG22B1R0MNE |
Samsung Electronics Co. Ltd |
OEM/CM Immediate delivery |
112000 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
CIG22B1R0MNE |
Samsung Electro-Mechanics |
OEM/CM ONLY |
48016 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
CIG22B1R0MNE |
Samsung Electronics Co. Ltd |
IN stock Immediate delivery |
111985 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
CIG22B1R0MNE D# 25804973 |
Samsung Electro-Mechanics |
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 1uH 20% 1MHz Ferrite 1.2A 0.12Ohm DCR 1008 T/R RoHS: Compliant
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0 |
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86-755-83210559-843
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IC FLASH 256MBIT 100NS 64EASYBGA
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