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C3M0120065J-TR

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Pour Référence Seulement

Référence C3M0120065J-TR
Fabricant Wolfspeed, Inc.
Description SIC, MOSFET, 120M, 650V, TO-263-
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications C3M0120065J-TR

FabricantWolfspeed, Inc.
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieSiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tension de drain à la source (Vdss)650 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C21A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)15V
Vgs (th) (Max) @ Id3.6V @ 1.86mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs26 nC @ 15 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds640 pF @ 400 V
Vgs (Max)+19V, -8V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)86W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs157mOhm @ 6.76A, 15V
Température de fonctionnement-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurTO-263-7
Paquet / casTO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA

C3M0120065J-TR Packaging

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Sealing
Packing
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C3M0120065J-TR FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that C3M0120065J-TR is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the C3M0120065J-TR price and inventory displayed accurate?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of C3M0120065J-TR?
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of C3M0120065J-TR.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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