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BVSS138LT3G

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Pour Référence Seulement

Référence BVSS138LT3G
Fabricant onsemi
Description MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications BVSS138LT3G

Fabricantonsemi
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)50 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C200mA (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)-
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds50 pF @ 25 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)225mW (Ta)
Rds sur (max) @ id, vgs3.5Ohm @ 200mA, 5V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurSOT-23-3 (TO-236)
Paquet / casTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

BVSS138LT3G Packaging

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Sealing
Packing
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BVSS138LT3G FAQ

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  • 3. Are the BVSS138LT3G price and inventory displayed accurate?
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