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BUK9E4R4-80E,127

BUK9E4R4-80E,127

BUK9E4R4-80E,127

Pour Référence Seulement

Référence BUK9E4R4-80E,127
Fabricant NXP
Description MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
Fiche technique
paquet TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
ECAD
En stock 2 752 piece(s)
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Spécifications BUK9E4R4-80E,127

FabricantNXP
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetTO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
ECAD
SériesTrenchMOS?
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)80V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C120A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.1V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs123nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds17130pF @ 25V
Vgs (Max)±10V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)349W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs4.2 mOhm @ 25A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurI2PAK
Paquet / casTO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

BUK9E4R4-80E,127 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
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BUK9E4R4-80E,127 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that BUK9E4R4-80E,127 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of BUK9E4R4-80E,127?
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    (1)Inform us within 90 days
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Rochester Electronics LLC

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339
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NXP Semiconductors

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