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BUK9E3R7-60E,127

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BUK9E3R7-60E,127

Pour Référence Seulement

Référence BUK9E3R7-60E,127
Fabricant NXP
Description MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
Fiche technique
paquet TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
ECAD
En stock 3 776 piece(s)
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Spécifications BUK9E3R7-60E,127

FabricantNXP
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetTO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
ECAD
SériesTrenchMOS?
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C120A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.1V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs95nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds13490pF @ 25V
Vgs (Max)±10V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)293W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs3.4 mOhm @ 25A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurI2PAK
Paquet / casTO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

BUK9E3R7-60E,127 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

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  • 2. How does Heisener guarantee that BUK9E3R7-60E,127 is from the original manufacturer or authorized agents?
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BUK9E3R7-60E,127 Produits Connexes

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MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK

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NXP Semiconductors

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