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BUK9E2R3-40E,127

BUK9E2R3-40E,127

BUK9E2R3-40E,127

Pour Référence Seulement

Référence BUK9E2R3-40E,127
Fabricant NXP
Description MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Fiche technique
paquet TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
ECAD
En stock 2 672 piece(s)
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Spécifications BUK9E2R3-40E,127

FabricantNXP
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetTO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
ECAD
SériesTrenchMOS?
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C120A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.1V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs87.8nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds13160pF @ 25V
Vgs (Max)±10V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)293W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs2.2 mOhm @ 25A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurI2PAK
Paquet / casTO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

BUK9E2R3-40E,127 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

BUK9E2R3-40E,127 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that BUK9E2R3-40E,127 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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    (1)Inform us within 90 days
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BUK9E2R3-40E,127 Produits Connexes

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D# BUK9E2R3-40E,127

NXP Semiconductors

MOS Power Transistors LV (< 200V) - Bulk (Alt: BUK9E2R3-40E,127)

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0
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D# 2156-BUK9E2R3-40E127-NX-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK

300
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Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

345
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NXP Semiconductors

OEM/CM ONLY

619
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NXP Semiconductors

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