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BUK9E1R6-30E,127

BUK9E1R6-30E,127

BUK9E1R6-30E,127

Pour Référence Seulement

Référence BUK9E1R6-30E,127
Fabricant NXP
Description MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
Fiche technique
paquet TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
ECAD
En stock 3 248 piece(s)
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Spécifications BUK9E1R6-30E,127

FabricantNXP
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetTO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
ECAD
SériesTrenchMOS?
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C120A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.1V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs113nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds16150pF @ 25V
Vgs (Max)±10V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)349W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs1.4 mOhm @ 25A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurI2PAK
Paquet / casTO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

BUK9E1R6-30E,127 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
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BUK9E1R6-30E,127 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that BUK9E1R6-30E,127 is from the original manufacturer or authorized agents?
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    (1)Inform us within 90 days
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MOS Power Transistors LV (< 200V) - Bulk (Alt: BUK9E1R6-30E,127)

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Rochester Electronics LLC

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Rochester Electronics LLC

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115
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NXP Semiconductors

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NXP Semiconductors

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