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BUK761R3-30E,118

BUK761R3-30E,118

BUK761R3-30E,118

Pour Référence Seulement

Référence BUK761R3-30E,118
Fabricant NXP
Description MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Fiche technique
paquet TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
En stock 5 568 piece(s)
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Spécifications BUK761R3-30E,118

FabricantNXP
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SériesTrenchMOS?
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C120A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs154nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds11960pF @ 25V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)357W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs1.3 mOhm @ 25A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurD2PAK
Paquet / casTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

BUK761R3-30E,118 Packaging

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Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that BUK761R3-30E,118 is from the original manufacturer or authorized agents?
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