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BUK754R7-60E,127

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BUK754R7-60E,127

Pour Référence Seulement

Référence BUK754R7-60E,127
Fabricant NXP
Description MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
Fiche technique
paquet TO-220-3
ECAD
En stock 6 944 piece(s)
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Spécifications BUK754R7-60E,127

FabricantNXP
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetTO-220-3
ECAD
SériesTrenchMOS?
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C100A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs82nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds6230pF @ 25V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)234W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs4.6 mOhm @ 25A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-220AB
Paquet / casTO-220-3

BUK754R7-60E,127 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

BUK754R7-60E,127 FAQ

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D# BUK754R7-60E,127

NXP Semiconductors

Transistor MOSFET N-Channel 60V 100A 3-Pin TO-220AB - Bulk (Alt: BUK754R7-60E,127)

0
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D# 2156-BUK754R7-60E127-NX-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB

1957
Référence Fabricant Description Stock

BUK754R760E127

Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

2251
Référence Fabricant Description Stock

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NXP Semiconductors

OEM/CM ONLY

102
Référence Fabricant Description Stock

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NXP Semiconductors

Now Nexperia BUK754R7-60E - Power Field-Effect Transistor, SIL3P

RoHS: Compliant
1957

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