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BUK662R4-40C,118

BUK662R4-40C,118

BUK662R4-40C,118

Pour Référence Seulement

Référence BUK662R4-40C,118
Fabricant Nexperia USA Inc.
Description MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Fiche technique

BUK662R4-40C,118 Fiche technique

paquet TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
En stock 29 976 piece(s)
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Spécifications BUK662R4-40C,118

FabricantNexperia USA Inc.
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SériesAutomotive, AEC-Q101, TrenchMOS?
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C120A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.8V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs199nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds11334pF @ 25V
Vgs (Max)±16V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)263W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs2.3 mOhm @ 25A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurD2PAK
Paquet / casTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

BUK662R4-40C,118 fiche technique

BUK662R4-40C,118 Packaging

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Sealing
Packing
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BUK662R4-40C,118 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that BUK662R4-40C,118 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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    (1)Inform us within 90 days
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D# V36:1790_06519760

Nexperia

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

0
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D# BUK662R4-40C,118

Nexperia

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Bulk (Alt: BUK662R4-40C,118)

RoHS: Compliant
0
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D# BUK662R4-40C,118

Nexperia

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: BUK662R4-40C,118)

RoHS: Compliant
0
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BUK662R4-40C,118

D# 1727-5519-2-ND

Nexperia

MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

0
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NXP Semiconductors

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MOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS FET

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3200
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N-channel TrenchMOS FET

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632
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