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BUK655R0-75C,127

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BUK655R0-75C,127

Pour Référence Seulement

Référence BUK655R0-75C,127
Fabricant NXP
Description MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Fiche technique
paquet TO-220-3
ECAD
En stock 5 872 piece(s)
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Spécifications BUK655R0-75C,127

FabricantNXP
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetTO-220-3
ECAD
SériesTrenchMOS?
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)75V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C120A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.8V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs177nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds11400pF @ 25V
Vgs (Max)±16V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)263W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs5.3 mOhm @ 25A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-220AB
Paquet / casTO-220-3

BUK655R0-75C,127 Packaging

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Sealing
Packing
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BUK655R0-75C,127 FAQ

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D# 2156-BUK655R0-75C,127-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB

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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

46
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NXP Semiconductors

OEM/CM ONLY

77
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NXP Semiconductors

Now Nexperia BUK655R0-75C - 120A, 75V, 0.0074ohm, N-Channel Power MOSFET, TO-220AB

RoHS: Compliant
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NXP Semiconductors

OEM/CM ONLY

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